HOTN2Dry 點擊圖片放大
商品名稱:

HOTN2Dry

詳細介紹:

適用2”~4”wafer/GaAs/Sapphire

加熱方式:間接式N2加熱純度高(無污染)

風量選擇:Sapphire(外延片):大風量

GaAs(外延片):小風量

製程監控:微風量

吹風設計:有上吹及IR加熱烘乾選擇及側吹晶籃底部。

浸泡IPA僅需3~5鐘乾燥。